Grain de carborundum noir

Production de carbure de silicium Le carbure de
silicium peut être trouvé dans le minéral moissanite, mais il est rarement trouvé dans la nature. Il est produit synthétiquement par une technique de synthèse appelée la méthode Acheson. De la silice pure (SiO2) ou du sable de quartz et du coke de pétrole finement broyé (carbone) sont mélangés et chauffés dans un four électrique résistif à une température élevée d’environ 1700 à 2500°C. Voici ci-dessous la réaction chimique primaire aboutissant à la formation de ɑ-SiC :

SiO2+3C=SiC+CO

Le carbure de silicium développe un lingot cylindrique autour du noyau, formant des couches de cristallin grossier. En fonction de la qualité de la matière première, le SiC peut être produit en vert ou en noir. Les lingots de SiC sont ensuite triés et traités pour l’application spécifique à laquelle ils sont destinés. Ils peuvent être broyés, broyés ou traités chimiquement pour obtenir les propriétés requises pour l’utilisation.

Applications du carbure de silicium
L’excellente combinaison de propriétés du carbure de silicium s’avère être une option de matériau prometteuse pour les applications à haute température et résistantes à l’usure.

• Matériau abrasif Les
  poudres de carbure de silicium sont utilisées pour les processus d’usinage abrasifs tels que le meulage, le sablage et la découpe au jet d’eau. Le SiC peut être laminé dans du papier, du tissu ou du bois pour produire une adhérence par friction. Il peut également être utilisé pour façonner, affûter et polir d’autres matériaux.
• Capteur de gaz à haute température
  Le carbure de silicium est utilisé comme dispositif de détection dans la production chimique et dans les industries d’essai de turbines ou de moteurs pour détecter les gaz inflammables et combustibles dans des environnements difficiles, à haute température et corrosifs.
• Electronique Les
  carbures de silicium sont utilisés comme semi-conducteurs dans de nombreux éléments de circuit en raison de leur résistance à haute tension. La résistance de tension du SiC est dix fois plus élevée que celle du silicium ordinaire et fonctionne même mieux que le nitrure de gallium dans les systèmes qui dépassent 1000V. En tant que tel, le SiC s’avère précieux dans le développement de véhicules électriques, d’onduleurs solaires et de systèmes de capteurs.